兼顾“顶天”和“立地”融合发展 姑苏实验室携创新科技成果亮相2024国际新材料展

Micro-LED自发光显示是实现全彩LED超清显示的核心技术路线之一，具有低能耗、寿命长、色彩饱和度高等优点。目前，各国均大力攻关RGB全彩Micro-LED在芯片制作、规模化转移等领域的技术瓶颈，以满足先进显示产业的迫切需求。

本项目立足于半导体照明显示产业需求，瞄准Micro-LED新型显示技术，致力于解决氮化物Micro-LED显示技术在材料质量、器件工艺等方面存在的关键科学技术问题。提出InGaN红光材料的新型MOCVD技术，开展InGaN蓝光LED结合红光量子点色转换技术的研究，两条技术路线并重共同促进氮化物全彩显示技术的突破与发展，解决氮化物红光LED制备难题，优化Micro-LED元器件制备工艺，研发出低功耗、高性能的氮化物红光Micro-LED元器件，并培养一支具备“设备-材料-元器件”全链条研究能力的人才团队。

随着国内外集成电路的制程变化，石英及硅部件逐渐无法满足需求，碳化硅部件作为新一代半导体材料闪亮登场，在高制程蚀刻、RTP及CVD工艺领域有着非常广阔的应用前景，有望成为前沿下一代集成电路芯片成功量产和良率保证的重要利器之一。

本项目旨在突破300mm集成电路前沿下一代超大尺寸碳化硅核心部件材料国产化“卡脖子”问题，目标是完成先进的超大尺寸碳化硅部件材料的全套技术研发工作和用于碳化硅部件生长的核心装备研制，实现苏州、江苏乃至全国零的突破。碳化硅部件质量达到国际先进水平，实现进口替代，加速我国半导体产业崛起进程。